三维存储技术
霍宗亮   
报告人照片   霍宗亮,博士。1998年北京大学微电子本科毕业,2003年北京大学微电子博士毕业。2003年加入韩国三星半导体从事存储器研发工作。2010年加入中科院微电子所,任研究员,“百人计划”。2014年加入长江存储科技有限公司,任职三维研发副总裁。霍博士拥有超过两百项专利技术,发表SCI文章70余篇。
  NAND 存储器以为大数据的应用变得越来越重要,尤其涉及到存储安全。掌握NAND 关键技术对我国信息安全有重要作用。报告主要涵盖了三维存储的关键技术与核心研究。在当前从平面技术向三维技术转变的过程中,核心工艺技术的研发成为我国突破的重点。其中,如三维应力,栅介质,多晶硅沟道等技术尤为关键。报告从三维架构,到器件特性进行了系统的分析与讲解。
报告时间:2017年11月04日15时00分    报告地点:西区教三楼3A112
报名截止日期:2017年11月04日    可选人数:100