半导体相变存储器
Semiconductor Phase Change Memory
宋志棠   
报告人照片   宋志棠,国家重点实验室主任,中科院特聘教授,国家万人,国家超级973首席科学家。1997.11西安交通大学获工学博士,1999.11 中科院上海微系统所博士后出站后留所工作,2001.1作为高级访问学者在香港理工大学应用物理系从事合作研究;2002年以教授的身份与香港理工大学应用物理系进行合作研究。现任上海微系统与信息技术研究所特聘研究员、博士生导师、上海市存储器纳米制造技术重点实验室主任、信息功能材料国家重点实验室主任。在Sciences、Nature comm.等期刊发表511篇论文,数量国际第一,他引4517次;国内授权发明专利284项,数量国内第一。
  相变存储器 (PCRAM) 具有微缩性好、可三维集成、擦写速度快、与新型COMS工艺相兼容等优点,正以变革计算机框架的存储型内存(Storage Class Memory) 角色进入主流存储器市场。本报告简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变材料存储性能的优化、存储机理以及面临的关键问题等方面的最新研究成果,最后展望了相变存储材料的研究进展和发展趋势。
报告时间:2019年07月26日10时00分    报告地点:科大北区融合楼二楼会议室
报名截止日期:2019年07月26日    可选人数:30